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AT503	文件：169.18 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1600V Meanon-statecurrent445A Surgecurrent6.4kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT503	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AT503	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AT-503	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	FixedAttenuators(N,BNC,TNC)	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
ATREF503	文件：155.19 Kbytes Page：3 Pages	HighPrecisionVoltageReference FEATURES Accuracy:±1μV HighReliability ZeroEMI CompactSize UltralowNoise:100nVP-P@0.1Hzto10Hz TemperatureCoefficient:1ppm/°C WideTemperatureRange:−40°C~125°C HighOutputSourceandSinkCurrent: +10mAand−5mA,Respectively LowDropoutOperation(SupplyVo	ANALOGTECHNOLOGIESAnalog Technologies, Inc. ANALOGTECHNOLOGIESAnalog Technologies, Inc.	ANALOGTECHNOLOGIES
ATSTK503	文件：704.79 Kbytes Page：17 Pages	STK503UserGuide	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
B503	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
B503N	文件：1.28804 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B503N	文件：1.28807 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B503-N	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
B503P	文件：1.28804 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B503P	文件：1.28807 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B503-P	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BA503	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BB503	文件：64.739 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503	文件：64.66 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503C	文件：64.66 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503C	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503CCS-TL-E	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503M	文件：300.97 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
503JBA-ABAF
制造商：
Silicon Labs
类别：
晶体，振荡器，谐振器 > 可编程振荡器
系列：
CMEMS® Si503
包装：
托盘
基本谐振器：
MEMS
类型：
CMEMS®
可编程类型：
由 Digi-Key 编程（请在网站订购单中输入您需要的频率）
功能：
启用/禁用
输出：
LVCMOS
电压 - 供电：
1.7V ~ 3.6V
频率稳定性（总体）：
±30ppm
工作温度：
-20°C ~ 70°C
电流 - 供电（最大值）：
8.9mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，无引线
大小 / 尺寸：
0.157" 长 x 0.126" 宽（4.00mm x 3
描述：
MEMS OSC PROG CMEMS LVCMOS 1.7V

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更多503JBA-ABAF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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