4N35V中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
4N35V
- 功能描述:
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 输入类型:
DC
- 最大集电极/发射极电压:
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压:
0.4 V
- 绝缘电压:
5300 Vrms
- 电流传递比:
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压:
1.65 V
- 最大输入二极管电流:
60 mA
- 最大集电极电流:
100 mA
- 最大功率耗散:
100 mW
- 最大工作温度:
+ 110 C
- 最小工作温度:
- 55 C
- 封装/箱体:
DIP-4
- 封装:
Bulk
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
DIP6 |
6000 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
DIP6 |
7350 |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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ON |
2023+ |
DIP6 |
700000 |
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Fairchild |
22+ |
NA |
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ON/安森美 |
23+ |
DIP |
90000 |
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ON/安森美 |
21+ |
DIP |
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VISHAY/威世 |
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NA/ |
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ON |
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SMD |
11520 |
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