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45N03	文件：1.01523 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
45N03H	文件：1.01519 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQB45N03L	文件：668.76 Kbytes Page：9 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD45N03L	文件：269.06 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerMOSFET GeneralDescription ThisdeviceemploysanewadvancedMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowonresistance. Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfrequencies. F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI45N03L	文件：668.76 Kbytes Page：9 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF45N03L	文件：688.26 Kbytes Page：8 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GJ45N03	文件：240.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H45N03E	文件：54.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(25V,45A) Features •RDS(on)=15mΩ@VGS=10V,ID=25A •RDS(on)=20mΩ@VGS=4.5V,ID=25A •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •ImprovedShoo	HSMC 华昕	HSMC
MI45N03	文件：1.01564 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTB45N03	文件：1.01519 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P45N03LTG	文件：43.53 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PHB45N03LT	文件：61.45 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHB45N03LTissuppl	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB45N03LT	文件：1.01496 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB45N03LTA	文件：1.01488 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB45N03T	文件：1.01485 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB45N03T	文件：66.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticsuitableforsurfacemountingenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD45N03LTA	文件：1.01549 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP45N03LT	文件：55.3 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP45N03LTissuppl	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多45N03供应商更新时间2024-5-2 11:04:00

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