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FDS4435	文件：637.39 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features •–8.8A,–30VRDS(ON)=20mW@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A	文件：172.6 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A-NL	文件：1.00476 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS4435BZ	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435BZ	文件：288.78 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-8.8A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435BZ-NL	文件：1.00471 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS4435-NL	文件：579.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FS4435	文件：625.78 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FortuneFortune Semiconductor Corporation (Fortune?) 富晶富晶電子股份有限公司	Fortune
FTK4435	文件：461.9 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G4435SS	文件：159.57 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
GAPM4435	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GF4435	文件：1.99289 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
GF4435	文件：153.07 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLowVoltageDC/DCConverters •FastSwitchingforHighEfficiency	GE GE Industrial Company	GE
GP4435	文件：288.77 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC4435	文件：307.63 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT4435PW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
H4435S	文件：186.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(-30V,-9.1A)	HSMC 华昕	HSMC
IM4435G	文件：1.14294 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多4435GM供应商更新时间2024-5-30 14:04:00

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