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3N257

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GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER

ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-2.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦ThisseriesisULlistedundertheRecognizedComponentIndex,filenumberE54214 ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦TypicalIRlesstha

GE

GE Industrial Company

3N257

文件：102.03 Kbytes

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GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier

FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Idealforprintedcircuitboard •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrength •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICAL

VishayVishay Siliconix

威世科技

3N257

文件：121.92 Kbytes

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MINIATUREGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER

MINIATUREINTEGRALDIODEASSEMBLIES ...withsiliconrectifierchipsinterconnectedandencapsulatedintovoidlessrectifierbridgecircuits. ●HighResistancetoShockandVibration ●HighDielectricStrength ●Built-InPrintedCircuitBoardStand•Offs ●ULRecognized ●ROJA=60°C/W

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

3N257

文件：165.29 Kbytes

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SINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER

SINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

3N257

文件：89.99 Kbytes

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MINIATUREINTEGRALDIODEASSEMBLIES

MINIATUREINTEGRALDIODEASSEMBLIES ...withsiliconrectifierchipsinterconnectedandencapsulatedintovoidlessrectifierbridgecircuits. ●HighResistancetoShockandVibration ●HighDielectricStrength ●Built-InPrintedCircuitBoardStand•Offs ●ULRecognized ●ROJA=60°C/W

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

3N257-M

文件：464.56 Kbytes

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SILICONBRIDGERECTIFIERS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

详细参数

  • 型号：

    3N257_Q

  • 功能描述：

    桥式整流器 600V 2A BRIDGE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay

  • 产品：

    Single Phase Bridge

  • 峰值反向电压：

    1000 V 最大 RMS

  • 正向连续电流：

    4.5 A

  • 最大浪涌电流：

    450 A

  • 正向电压下降：

    1 V

  • 最大反向漏泄电流：

    10 uA

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • 长度：

    30.3 mm

  • 宽度：

    4.1 mm

  • 高度：

    20.3 mm

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    SIP-4

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
3N2575410E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Di
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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VISHAY/威世
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