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HRF3205S	文件：191.09 Kbytes Page：9 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IIRF3205	文件：338.88 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF3205Z	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205	文件：622 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRF3205	文件：139.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3205	文件：970.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF3205	文件：598.69 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF3205	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IRF3205DD	文件：543.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(55V/110A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3205L	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205L	文件：609.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205L	文件：618.88 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205L	文件：1.17944 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3205PBF	文件：176.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205PBF	文件：221.54 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3205S	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	3205T	ATMEL/爱特梅尔	2021+	QFN	5966	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	3205TR	GOFORD	2022+	TO-220	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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上海金庆电子技术有限公司	3206	KeystoneElectronics	新		5	全新原装货期两周	询价
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更多3205T供应商更新时间2024-5-23 11:39:00

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