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30C02MH-TL-H	文件：369.17 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor 30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single MCPH3 BipolarTransistor 30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)):RCE(sat)typ=330mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) •Ha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02MH-TL-H	文件：477.61 Kbytes Page：6 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifi er Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30C02MH-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02CH	文件：51.91 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30C02CH	文件：584.29 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor 30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=330mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02CH-TL-E	文件：584.29 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor 30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ.=330mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02MH	文件：369.17 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleMCPH3 BipolarTransistor 30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)):RCE(sat)typ=330mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) •Ha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02MH	文件：247.4 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30C02MH-TL-E	文件：369.17 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleMCPH3 BipolarTransistor 30V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)):RCE(sat)typ=330mΩ[IC=0.7A,IB=35mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) •Ha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
30C02MH-TL-E	文件：477.61 Kbytes Page：6 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
30C02SS	文件：40.04 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EMF30C02G	文件：268.26 Kbytes Page：8 Pages	N&P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: N‐CHP‐CH BVDSS20V‐20V RDSON(MAX.)30.5mΩ100mΩ ID6.5A‐4.2A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMF30C02K	文件：259.38 Kbytes Page：8 Pages	N&P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: N‐CHP‐CH BVDSS20V‐20V RDSON(MAX.)30.5mΩ100mΩ ID5A‐3.2A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
UF30C02C	文件：688.99 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO

产品属性

产品编号：
30C02MH-TL-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
190mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 50mA，2V
频率 - 跃迁：
540MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
3-MCPH
描述：
TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH

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