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2ST501T	文件：154.14 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The2ST501TisaHighVoltageNPNsilicontransistorinmonolithicspecialDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage. ■HIGHVOLTAGESPECIALDARLINGTONSTRUCTURE ■VERYRUGGEDBIPOLARTECHNOLOGY ■HIGHOPERATIONJUNCTIONTEMPERATURE ■HIGHDCCURRENTGAIN A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2ST501T	文件：277.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage •HighDCCurrentGain •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Audiopoweramplifiers •Relay&solenoiddrivers •Motorcontrols •Generalpurposepoweramplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2ST501T

文件：154.14 Kbytes

Page：6 Pages

HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2ST501TisaHighVoltageNPNsilicontransistorinmonolithicspecialDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage. ■HIGHVOLTAGESPECIALDARLINGTONSTRUCTURE ■VERYRUGGEDBIPOLARTECHNOLOGY ■HIGHOPERATIONJUNCTIONTEMPERATURE ■HIGHDCCURRENTGAIN A

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage •HighDCCurrentGain •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Audiopoweramplifiers •Relay&solenoiddrivers •Motorcontrols •Generalpurposepoweramplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2ST501T

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包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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产品属性

产品编号：
2ST501T
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 2A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

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更多2ST501T供应商更新时间2024-6-5 14:26:00

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