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深圳市明嘉莱科技有限公司

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2SK409

2SK409

HITACHI/日立TO 220

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市旺财半导体有限公司

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2SK409

HITACHI/日立

1688

23+

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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2SK409功率三极管

HITACHI/日立TO 220

158473

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市凌旭科技有限公司

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RENESASTO-3P

3440

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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HITACHI/日立220

31518

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原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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SANYO/三洋TO-220F

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市中利达电子科技有限公司

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SANYOTO-220F

944

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长源创新-只做原装----假一赔十

无锡固电半导体股份有限公司

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iscTO-220

800

2024

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国产品牌isc,可替代原装

深圳市百诺芯科技有限公司

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HITACHI/日立TO-59

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原装正品代理渠道价格优势

深圳市一线半导体有限公司

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60000

08PB

深圳市毅创腾电子科技有限公司

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东芝TO-220

3200

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绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!

深圳市芯祺盛科技有限公司

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日立TO220

8862

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深圳市旺财半导体有限公司

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HIT

2800

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正品原装货价格低qq:2987726803

深圳市一线半导体有限公司

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2000

深圳市河锋鑫科技有限公司

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日立220

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十年配单,只做原装

深圳市创新迹电子有限公司

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日立220

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只做原装进口现货,专注配单

深圳市亿智腾科技有限公司

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原装现货/欢迎来电咨询

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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SANYO/三洋NA

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深圳市安富世纪电子有限公司

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ONTO-220

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2SK409制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS FET

2SK4090-ZK-E1-AY功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

2SK4090-ZK-E2-AY功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

2SK4091-ZK-E1-AY功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

2SK4091-ZK-E2-AY功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

2SK4092制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

2SK4092-A制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

2SK4093制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK4093TZ-E制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3-Pin TO-92 Mod Box 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1A TO-92

2SK4094功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件