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2SK3355-Z	文件：80.02 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9800pFTYP. •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3355-Z	文件：222.35 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3355-Z	文件：401.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3355-ZJ	文件：80.02 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9800pFTYP. •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3355-ZJ	文件：222.35 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3355-ZJ	文件：401.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3355	文件：45.04 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=9800pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3355	文件：333.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3355	文件：80.02 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9800pFTYP. •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3355	文件：222.35 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3355-S	文件：80.02 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9800pFTYP. •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3355-S	文件：327.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3355-S	文件：222.35 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3355isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.8mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=42A) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3355-Z
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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