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2SK3130中文资料PDF规格书

2SK3130
厂商型号

2SK3130

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)

文件大小

203.88 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 22:59:00

2SK3130规格书详情

Switching Regulator Applications

• Reverse-recovery time: trr = 85 ns

• Built-in high-speed flywheel diode

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.12 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    2SK3130

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS Type

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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