2SK3081-E中文资料PDF规格书
2SK3081-E规格书详情
Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 10 mΩ typ.
• 4 V gate drive devices.
• High speed switching
产品属性
- 型号：
2SK3081-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
Renesas |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
12400 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
HIT |
2020+ |
LDPAK |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
TO-252 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
08PB |
30000 |
询价 | |||||
RENESAS/瑞萨 |
TO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
HITACHI |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
Renesas |
19+ |
TO-252 |
59548 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | ||
VBSEMI |
19+ |
TO-263 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
询价 |
