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2SK3062-S中文资料PDF规格书

2SK3062-S
厂商型号

2SK3062-S

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件大小

69.94 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 10:06:00

2SK3062-S规格书详情

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3062 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1= 8.5 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 35 A)

RDS(on)2= 12 mΩMAX. (VGS= 4.0 V, ID= 35 A)

• Low Ciss: Ciss= 5200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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