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2SK2480	文件：117.61 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK2480	文件：323.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2480	文件：244.91 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK2480isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance RDS(on)=4.0W(VGS=10V,ID=2.0A) •LowCissCiss=900pFTYP. •HighAvalancheCa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：117.61 Kbytes

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SK2480

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK2480isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance RDS(on)=4.0W(VGS=10V,ID=2.0A) •LowCissCiss=900pFTYP. •HighAvalancheCa

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
2SK2480-AZ
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Nch 900V 3A 4000m@10V IsolatedTO220
功能描述：
Nch 900V 3A 4000m@10V IsolatedTO220 Bulk

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