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2SK1123	文件：442.81 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK1123	文件：271.78 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK1123	文件：2.25004 Mbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1123isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4V,ID=20A) •LowCissCiss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

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IscN-ChannelMOSFETransistor

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1123isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4V,ID=20A) •LowCissCiss

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详细参数

型号：
2SK1123-A
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Nch 60V 40A 27m@10V TO3P Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SK1124				2000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SK1124	TOSHIBA	23+	TO-3P	9526		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SK1124	TOSHIBA	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	2SK1124	TOS	17+	TO-3P	6200		询价
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更多2SK1123-A供应商更新时间2024-6-8 16:00:00

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