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2SJ687	文件：167.41 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10A) RDS(on)3=20mΩMAX.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SJ687	文件：276.82 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10

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更多2SJ687MOS(场效应管)供应商更新时间2024-5-1 11:00:00

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