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2SJ687-ZK-E1-AY	文件：167.41 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10A) RDS(on)3=20mΩMAX.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SJ687-ZK-E1-AY	文件：1.77873 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ687-ZK-E1-AY	文件：276.82 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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2SJ687-ZK-E1-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10A) RDS(on)3=20mΩMAX.

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SJ687-ZK-E1-AY

文件：1.77873 Mbytes

Page：8 Pages

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ687isP-channelMOSFETdeviceandaexcellentswitchthatcanbedrivenbyalowpower-supplyvoltage. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−10A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−3.0V,ID=−10

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RENESAS

详细参数

型号：
2SJ687-ZK-E1-AY
功能描述：
MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	Renesas(瑞萨)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	RENESAS(瑞萨)/IDT	23+	TO-252	25000	全新、原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	RENESAS	2017+	TO252	45248	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	RENESAS	2022	TO252	2500	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	RENESAS	2020+	TO252	2500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	RENESAS	22+23+	TO252	11296	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY		23+	N/A	90650	正品授权货源可靠	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SJ687-ZK-E1-AY	N	23+	TO252-2	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价

更多2SJ687-ZK-E1-AY供应商更新时间2024-4-30 15:14:00

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