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2SJ669	文件：209.54 Kbytes Page：6 Pages	SiliconP-ChannelMOSTypeRelayDrive,DC/DCConverterandMotorDriveApplications RelayDrive,DC/DCConverterandMotorDriveApplications •4-Vgatedrive •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.12Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−60V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VD	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SJ669	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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SiliconP-ChannelMOSTypeRelayDrive,DC/DCConverterandMotorDriveApplications

RelayDrive,DC/DCConverterandMotorDriveApplications •4-Vgatedrive •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.12Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−60V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VD

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更多2SJ669(Q)供应商更新时间2024-5-1 10:06:00

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