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2SJ626中文资料PDF规格书

2SJ626
厂商型号

2SJ626

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

65.45 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-29 15:25:00

2SJ626规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ626 is a switching device which can be driven directly by a 4.0 V power source.

The 2SJ626 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 4.0 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 388 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –1.0 A)

RDS(on)2 = 514 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.0 A)

RDS(on)3 = 556 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A)

产品属性

  • 型号:

    2SJ626

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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