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2SJ606-S	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606-S	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606	文件：50.01 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=15mMAX.(VGS=-10V,ID=-42A) RDS(on)2=23mMAX.(VGS=-4.0V,ID=-42A) ●LowCiss:Ciss=4800pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SJ606-Z	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606-Z	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606-ZJ	文件：213.9 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606-ZJ	文件：78.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ606isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=4800pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SJ606-ZJ	文件：1.53844 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司

详细参数

型号：
2SJ606-S
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SJ606-S	NEC	08+(pbfree)	TO-262	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SJ606-S	NEC	23+	TO-262	12167	全新原装	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	2SJ606-S		23+	N/A	49100	正品授权货源可靠	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SJ606-S	NEC	2020+	TO-262	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价
深圳兆威电子有限公司	2SJ606-S	NEC	23+	TO-262	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ606-S	NEC	22+	TO-262	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市大联智电子有限公司	2SJ606-S	NEC	2022+	TO-262	7300	原装现货	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	2SJ606-S	NEC	2105+	TO-262	12000	原装正品	询价
深圳市芯为科技有限公司	2SJ606-S	NEC	2023+	TO-262	16800	芯为只有原装,公司现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SJ606-S	NEC	22+	TO-262	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价

更多2SJ606-S供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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