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2SJ567	文件：195.76 Kbytes Page：6 Pages	SiliconP-ChannelMOSTypeSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ567	文件：184.21 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(MOSV)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ567	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ567	文件：234.93 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingApplications SwitchingApplications ChopperRegulator,DC/DCConverterandMotorDriveApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−200V) •Enhancementmodel:Vth=−1.5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ567(TE16L1,NQ)	文件：182.65 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(-MOSV) SwitchingApplications ChopperRegulator,DC/DCConverterandMotorDriveApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−100μA(max)(VDS=−200V) •Enhancementmodel:Vth=−1.5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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更多2SJ567(TE16L1,N)供应商更新时间2024-5-17 16:57:00

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