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2SJ552L	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ552(L)_15	文件：115.37 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ552STL-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.042Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ552L
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多2SJ552L供应商更新时间2024-4-30 11:36:00

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