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2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
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2SJ550	文件：941.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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2SJ550L	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ550L	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ550STL-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ550L-E
制造商：
Renesas Electronics Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ550MOS(场效应管)	HITACHI/日立	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	2SJ550MOS(场效应管)	HITACHI/日立	2022	TO-263	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SJ550MOS(场效应管)	HITACHI/日立	24+	TO-220	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
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更多2SJ550L-E供应商更新时间2024-5-7 11:00:00

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