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2SJ527STR	文件：988.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ527	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527(L)_15	文件：113.42 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527L	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527L	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527L-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.3typ. Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ527S	文件：54.17 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ527S	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ527STL-E	文件：93.96 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.3Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ527STR
制造商：
Renesas Electronics Corporation

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更多2SJ527STR供应商更新时间2024-5-3 16:36:00

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