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2SJ505S	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ505S	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ505STL-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ505(L)_15	文件：117.47 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ505L-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ505S
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ505S供应商更新时间2024-6-14 10:20:00

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