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2SJ494	文件：71.9 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. •SuperLowOn-StateResistance RDS(on)1=50m:Max.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=88m:Max.(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCissCiss=2360pFTyp. •Built-inGateProtectionDio	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SJ494	文件：311.07 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperLowOn-StateResistance RDS(on)1=50m:Max.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=88m:Max.(VGS=–4V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ494

文件：71.9 Kbytes

Page：8 Pages

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. •SuperLowOn-StateResistance RDS(on)1=50m:Max.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=88m:Max.(VGS=–4V,ID=–10A) •LowCissCiss=2360pFTyp. •Built-inGateProtectionDio

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SJ494

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MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •SuperLowOn-StateResistance RDS(on)1=50m:Max.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=88m:Max.(VGS=–4V

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ494
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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更多2SJ494供应商更新时间2024-4-30 17:12:00

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