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2SD669AG-X-AA3B	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
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2SD669AG-X-T92R	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD669	文件：36.07 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB649/A(PNP)	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SD669	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SD669	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD669	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SD669	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB649/649A(PNP) ·HighbreakdownvoltageVCEO:120/160V ·Highcurrent1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypower amplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD669	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD669	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SD669	文件：1.01979 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SB649(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SD669	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:1mW（Tamb=25℃） CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V Collector-emittervoltageVCEO2SD669:120V2SD669A:160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD669	文件：138.23 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD669	文件：1.22636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPairwith2SB649/2SB649A	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

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详细参数

型号：
2SD669AG
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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