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2SD315AI	文件：351.88 Kbytes Page：15 Pages	Dual SCALE Driver Core for IGBTs and Power MOSFETs	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2SD315AI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-DIP 模块，42 引线类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE	Power Integrations Power Integrations
2SD315AI-25	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：模块类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE	Power Integrations Power Integrations
2SD315AI-33	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：模块类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE	Power Integrations Power Integrations
2SD315	文件：25.58 Kbytes Page：1 Pages	ForAFPowerAmplifierUse 2SB509v->PNP 2SD315->NPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2SD315	文件：115.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Complementtotype2SB509 APPLICATIONS ·Foruseinaudiofrequencypoweramplifierapplication	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD315	文件：160.05 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Complementtotype2SB509 APPLICATIONS ·Foruseinaudiofrequencypoweramplifierapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

产品属性

产品编号：
2SD315AI
制造商：
Power Integrations
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
SCALE™-1
包装：
管件
驱动配置：
半桥
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
18A，18A
上升/下降时间（典型值）：
160ns，130ns
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
44-DIP 模块，42 引线
供应商器件封装：
模块
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

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