| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT923 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ROHMVMT3 (SOT-723) (SC-105AA) |
40000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23 |
7906200 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆VMT-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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RohmNA |
11147 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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40000 |
21+/22+ |
VMT3 (SOT-723) (SC-105AA) |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ROHMSMT3 |
12000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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ROHMSMT3 (SOT-346) (SC-59) |
9000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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PANASONIC/松下SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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ROHM(罗姆)SOT-323T |
2529 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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ROHM(罗姆)SMT3 |
48585 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ROHMSOT23 |
96000 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市华芯购电子有限公司3年
留言
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ROHMSOT23 |
5000 |
21+ |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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TO-3 |
10000 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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ROHMSOT23 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ROHM/罗姆NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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PANASONIC/松下TO220 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ROHMSOT423 |
3149 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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ROHM(罗姆)SOT23 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
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2SD2704KT146价格
2SD2704KT146价格：￥0.2699品牌：Rohm
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更多2SD2700TL功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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2SD2702TL功能描述:两极晶体管 - BJT 12V 1.5A NPN LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2703TL功能描述:两极晶体管 - BJT 30V 1A NPN LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2704KT146功能描述:两极晶体管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2705STP功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2707T2LV功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2707T2LW功能描述:两极晶体管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2719(TE85L,F)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans.NPN 60V 0.8A hfe2000min
2SD273制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V 5A 80W BEC
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_TR_输出极 （E）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
32V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD72,2SD352,3BX25B,
- 最大耗散功率：
0.28W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-47
- vtest：
32
- htest：
999900
- atest：
.5
- wtest：
.28
