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2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighDCcurrentgain. •Highemitter-basevoltage. •LowVCE(sat).	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE •HighDCCurrentGain. •HighEmitter-BaseVoltage.VEBO=12V(Min.)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114	文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KS	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KT146V	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KT146W	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114KW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114_11	文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114_15	文件：413.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2114K	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K_1	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2114K_12	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SD2114K
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>560
图片代号：
H-15
vtest：
25
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD2114
制造商：
HTSEMI
制造商全称：
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
功能描述：
TRANSISTOR(NPN)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科翼源电子有限公司	2SD2114	CJ	23+	SOT23	8500	原厂原装正品	询价
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更多2SD2114供应商更新时间2024-5-24 11:16:00

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