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2SD2050	文件：81.99 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications???????	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD2051	文件：57.24 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Darlington(For low-frequency amplification) SiliconNPNepitaxialplanartypeDarlington Forlow-frequencyamplification ■Features ●HighfowardcurrenttransferratiohFE ●Incorporatingabuilt-inzenerdiode ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD2052	文件：52.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) ForhighpoweramplificationComplementaryto2SB1361 ■Features ●SatisfactoryfowardcurrenttransferratiohFEvs.collectorcurrentICcharacteristics ●Wideareaofsafeoperation(ASO) ●HightransitionfrequencyfT ●OptimumfortheoutputstageofaHiFiaudioamplifier	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD2052	文件：120.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Wideareaofsafeoperation ·Complementtotype2SB1361 APPLICATIONS ·OptimumfortheoutputstageofaHiFiaudioamplifier	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2052	文件：290.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCurrent-GainBandwidthProduct ·GoodLinearityofhFE ·WideAreaofSafeOperation ·ComplementtoType2SB1361 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighpoweramplification,optimumforthe outpu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2053	文件：138.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·Wideareaofsafeoperation ·Complementtotype2SB1362 APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2053	文件：140.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·Wideareaofsafeoperation ·Complementtotype2SB1362 APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2057	文件：60.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type For horizontal deflection output SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forhorizontaldeflectionoutput ■Features ●Incorporatingabuilt-indamperdiode ●Reductionofapartscountandsimplificationofacircuitareallowed ●Highbreakdownvoltagewithhighreliability ●High-speedswitching ●Wideareaofsafeope	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD2057	文件：119.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Highvoltage,highspeed •Built-indamperdiode •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Horizontaldeflectionoutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2057	文件：135.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Highvoltage,highspeed •Built-indamperdiode •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Horizontaldeflectionoutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2058	文件：160.04 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SB1366 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=1.0V(Max)atIC=2A,IB=0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25°C) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2058	文件：244.05 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SB1366 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=1.0V(Max)atIC=2A,IB=0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25°C) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2059	文件：158.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1367 ·Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=2.0V(Max)atIC=4A,IB=0.4A ·Collectorpowerdissipation:PC=30W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Withgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2059	文件：237.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1367 ·Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=2.0V(Max)atIC=4A,IB=0.4A ·Collectorpowerdissipation:PC=30W(TC=25) APPLICATIONS ·Withgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2051	文件：263.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2052	文件：122.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2053	文件：140.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2055	文件：256.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2057	文件：120.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2058	文件：245.74 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SD2051
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
INT.Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.6A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3144,2SD1983,
最大耗散功率：
12W
放大倍数：
β>4000
图片代号：
B-38
vtest：
60
htest：
200000100
atest：
1.6
wtest：
12

详细参数

型号：
2SD205
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN epitaxial planar type Darlington(For low-frequency amplification)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD205供应商更新时间2024-6-12 16:00:00

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