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2SD1950-T1-AZ	文件：1.73326 Mbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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2SD1950-T1-AZ

文件：1.73326 Mbytes

Page：6 Pages

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
2SD1950-T1-A
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
NPN TRANSISTOR
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape
功能描述：
NPN PWR Transistor,25V,2A,P-MINIMOLD3
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold

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更多2SD1950-T1-A供应商更新时间2024-5-14 16:36:00

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