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2SD1898	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：112.11 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialPlanarNPNTransistors EpitaxialPlanarNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SD1898	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTOR FEATURES HighVCEO=80V HighIC=1A(DC) GoodhFElinearity. LowVCE(SAT) *Complementsthe2SB1260.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1898	文件：345.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Description The2SD1898isdesignedforswitchingapplications.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD1898	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●HighVCEO,VCEO=80V. ●HighIC,IC=1A(DC). ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1898	文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：317.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●Complementthe2SB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1898	文件：163.94 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：172.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor FEATURES ●HighVCEO,VCEO=80V. ●HighIC,IC=1A(DC). ●GoodHFELinearity. ●LowVCE(sat). ●Complementthe2SB1260. APPLICATIONS ●NPNsilicontransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1898	文件：616.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighVCEO,VCEO=80V ●HighIC,IC=1A(DC) ●LowVCE(sat) ●Complementaryto2SB1260	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD1898	文件：177.89 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：320.71 Kbytes Page：2 Pages	NPN-GeneralUseTransistor NPN-GeneralUseTransistor1W1A80V Feature MarkingDF Application Canbeusedforswitchingandamplifyinginvariouselectricalandelectroniccircuit.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1898	文件：112.31 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：126.02 Kbytes Page：2 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1898	文件：268.34 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SD1898	文件：176.86 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVCEO ●HighIC ●GoodhFElinearity ●LowVCE(sat)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1898	文件：1.50291 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●Complementthe2SB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1898	文件：777.43 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) FEATURES HighVCEO,VCEO=80V. HighIC,IC=1A(DC). GoodHFELinearity. LowVCE(sat). Complementthe2SB1260. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1898-P	文件：325.49 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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