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2SD1816S-TL-E	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD1816S-TL-E	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor (-)100V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD1816S-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 4A TPFA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816S-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 4A TPFA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：126.45 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •GoodlinearityofhFE. •Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets. •HighfT. •Fastswitchingtime. Applications •Suitableforrelaydrivers,high-speedinverters, convert	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1816	文件：219.29 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATIONS HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATIONS FEATURES Lowcollector-to-emittersaturationvoltage GoodlinearityofhFE Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets. HighfT *Fastswitchingspeed	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1816	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1816	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENTSWITCHIGAPPLICATION	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1816	文件：468.71 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：363.56 Kbytes Page：3 Pages	4A,120VNPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor FEATURES •LowCollector-to-EmitterSaturationVoltage •ExcellentLinearityofhFE •HighfT •FastSwitchingTime	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD1816	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor(-)100V,(-)4A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：366.77 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor Features •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage •SmallandSlimPackageFacilitatingCompactnessofSets •HighfT •GoodLinearityofhFE •FastSwitchingTime TypicalApplications •SuitableforRelayDrivers •HighSpeedInverters •Converters •OtherGeneralHighCurrentSwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1816	文件：266.18 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentlinearityofhFE •Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATION	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816	文件：300.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor FEATURES ·ExcellentlinearityofhFE ·Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·HighfT APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816	文件：281.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor FEATURES ·ExcellentlinearityofhFE ·Smallandslimpackagefacilitatingcompactnessofsets ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·HighfT APPLICATIONS ·Relaydrivers,Highspeedinverters,convertersandother generalhigh-currentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1816L	文件：283.47 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
2SD1816S-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TP-FA
描述：
TRANS NPN 100V 4A TPFA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市润其电子科技有限公司	2SD1816S-TL-E	SANYO	2022+	TO252	3100	全新现货	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	2SD1816S-TL-E	三洋/UTC	2022	TO-251	6800	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市达恩科技有限公司	2SD1816S-TL-E	ONSemiconductor	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	2SD1816S-TL-E	SANYO	19+	TO-251	59394	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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深圳市纳立科技有限公司	2SD1816S-TL-E		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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更多2SD1816S-TL供应商更新时间2024-6-5 13:22:00

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