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2SD1768S分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD1768S
厂商型号

2SD1768S

参数属性

2SD1768S 封装/外壳为SC-72 成形引线;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A SPT

功能描述

Power Transistor (80V, 1A)
TRANS NPN 80V 1A SPT

文件大小

89.47 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 17:18:00

2SD1768S规格书详情

● Features

1) High VCEO, VCEO = 80V

2) High IC, IC = 1A (DC)

3) Good hFE linearity.

4) Low VCE(sat).

5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

2SD1768S属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。罗姆半导体集团制造生产的2SD1768S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1768STPR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 20mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SC-72 成形引线

  • 供应商器件封装:

    SPT

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SPT

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