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2SD1407A-Y(F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 5A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1407	文件：69.94 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR(POWERAMPLIFIERVERTICALDEFLECTIONOUTPUT) POWERAMPLIFIERVERTICALDEFLECTIONOUTPUT ●Complementto2SB1016	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components	WINGS
2SD1407	文件：151.2 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1016 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1407	文件：174.88 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1016 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1407	文件：152.85 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1407A	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SD1407A	文件：150.31 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A-Y	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SD1407A-Y(F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
12MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220NIS
描述：
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD1407A-Y(F)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	TO-220-3 整包	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多2SD1407A-Y(F)供应商更新时间2024-5-7 8:24:00

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