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2SD1375	文件：128.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Highpowerdissipation APPLICATIONS •Designedforlineoperatedaudiooutputamplifier,andswitchingpowersupplydriversapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1375	文件：107.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Highpowerdissipation APPLICATIONS •Designedforlineoperatedaudiooutputamplifier,andswitchingpowersupplydriversapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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2SD1376	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •DARLINGTON •Complementtotype2SB1012 APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1376	文件：108.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •DARLINGTON •Complementtotype2SB1012 APPLICATIONS •Forlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1376K	文件：33.83 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB1012(K)	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1378	文件：248.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.4V(Max)@IC=0.5A ·ComplementtoType2SB1007 APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1370	文件：260.29 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1371	文件：135.5 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1372	文件：253.7 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1373	文件：273.02 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1374	文件：263.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1375	文件：109.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1376	文件：109.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1377	文件：270.42 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1375
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW11,BUW11A,TIP51,TIP52,TIP53,TIP54,2SC681A,2SD632,
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
4
wtest：
90

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD137供应商更新时间2024-6-8 16:30:00

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