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2SD1363	文件：276.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -HighCollectorCurrentIc=7A -LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.4V(Max.)(atIc=4A) -HighCollectorPowerDissipation :PC40W(atTc-25°C) -Complementaryto25B993	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1366	文件：31.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1366	文件：154.44 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1366A	文件：24.9 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1366A	文件：145.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Lowfrequencypoweramplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SD1367	文件：203.44 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1001	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1367BCTR-E	文件：203.44 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1001	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1368	文件：24.99 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1002	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1368	文件：96.67 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1002	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1368	文件：51.71 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ●Lowfrequencypoweramplifier.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1368CBTL-E	文件：96.67 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1002	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1368CCTL-E	文件：96.67 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB1002	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1360	文件：261.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1361	文件：260.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1362	文件：274.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1365	文件：269.9 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SD1366A	文件：56.5 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SD1363
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LO.SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3254,2SC4335,2SD1237L,2SD1271,2SD1833,3DD106B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-44
vtest：
70
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1363	TOSHIBA/东芝	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多2SD136供应商更新时间2024-6-8 16:30:00

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