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2SD1119	文件：38.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertype(Forlow-frequencypoweramplification0 SiliconNPNepitaxialplanertype Forlow-frequencypoweramplification ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow-voltagepowersupply. ●Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentan	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD1119	文件：50.01 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywith thelowvoltagepowersupply.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1119	文件：516.409 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1119	文件：957.19 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1119	文件：755.65 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),Highperformanceatlowsupplyvoltage. Applications AFPoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1119	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Satisfactoryoperationperformancesathighefficiency withthelowvoltagepowersupply.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SD1119	文件：166.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesat highefficiencywiththelow-voltagepowersupply.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1119	文件：1.52289 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1119-Q	文件：391.17 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1119-Q-HF	文件：408.63 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1119-R	文件：391.17 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1119-R-HF	文件：408.63 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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