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2SD1060分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	2SD1060
参数属性	2SD1060 封装/外壳为TO-220-3；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 50V 5A TO220-3
功能描述	Bipolar Transistor TRANS NPN 50V 5A TO220-3
文件大小	198.83 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载
更新时间	2024-5-22 16:42:00

2SD1060规格书详情

Features

• Low collector-to-emitter saturation voltage :

VCE(sat)=0.3V max / IC=3A, IB= 0.3A

Applications

• Suitable for relay drivers, high-speed inverters, converters,

and other general large-current switching

2SD1060属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的2SD1060晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

产品属性

产品编号：
2SD1060R-1EX
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 50V 5A TO220-3

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