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2SC5706-P-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 5A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706	文件：45.91 Kbytes Page：2 Pages	POWERTRANSISTOR(5A,50V,15W) NPNSiliconPowerTransistors DPAKSurfaceMountPowerPackage TheDPAKPowertransistorisusedbygeneralpurposeamplifiers,relaydrives,lmapdrives,motordrivers,andhighspeedswitchingapplications.	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2SC5706	文件：40.18 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSwitchingApplications HighCurrentSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocess. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Highallowablepowerdissipation. Applications •DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5706	文件：190.03 Kbytes Page：5 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features: Largecurrentcapacitance Lowcollector-to-emittersaturationvoltage High-speedswitching Highallowabledissipation	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC5706	文件：67.01 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5706	文件：507.53 Kbytes Page：10 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5706	文件：514.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Lowcollector-to-emittersaturationvoltage,high-speedswitching,highallowablepowerdissipation. Applications DC-DCconverter,relaydrivers,lampdriversmotordrivers.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC5706	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706	文件：335.96 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5706	文件：354.84 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Largecurrentcapacitance ·High-speedswitching ·100avalanchetested ·Highallowablepowerdissipation ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·Complementaryto2SA2039 APPLICATIONS ·DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5706D	文件：497.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC5706-TL-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706-TL-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706-TL-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5706-TL-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC5706-P-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
240mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
400MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 100V 5A TP

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