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2SC5509-A	文件：231.72 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz •Maximumavailable	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5509-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2SC5509	文件：82.51 Kbytes Page：15 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER LOWNOISEHIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz •Maximumavailablepowergain:MAG=14dB	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5509	文件：231.72 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz •Maximumavailable	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5509	文件：1.32923 Mbytes Page：10 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR FORMEDIUMOUTPUTPOWER,LOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •NF=1.2dBTYP.,Ga=12dBTYP.@VCE=2V,IC=10mA,f=2GHz •Maximumavailablepowergain:M	CEL California Eastern Laboratories	CEL

产品属性

产品编号：
2SC5509-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
频率 - 跃迁：
15GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 2GHz
增益：
14dB
功率 - 最大值：
190mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F

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更多2SC5509-A供应商更新时间2024-6-3 15:00:00

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