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2SC5501	文件：46.23 Kbytes Page：6 Pages	VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications VHFtoUHFLow-NoiseWide-BandAmplifierApplications Features ·Lownoise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz). ·Highgain:\|S21e\|2=13dBtyp(f=1GHz). ·Highcutofffrequency:fT=7GHztyp. ·Largeallowablecollectordissipation:PC=500mWmax.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5501A	文件：55.35 Kbytes Page：5 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications VHFtoUHFWide-BandLow-NoiseAmplifierApplications Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp •Largeallowablecollectordissipation:PC=500mWmax	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5501A	文件：369.53 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp •Largeallowablecollectordissipation:PC=500mWmax	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5501A-4-TR-E	文件：369.53 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP4 Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp •Largeallowablecollectordissipation:PC=500mWmax	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5501A	文件：470.98 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5501A_12	文件：470.98 Kbytes Page：8 Pages	VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5501A-4-TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SC-82A，SOT-343 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4MCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
2SC5501
功能描述：
两极晶体管 - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5501供应商更新时间2024-5-22 10:50:00

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