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2SC5415AE-TD-E分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5415AE-TD-E |
| 参数属性 | 2SC5415AE-TD-E 封装/外壳为TO-243AA；包装为带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP |
| 功能描述 | RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP |
| 文件大小 |
296.02 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-18 15:51:00 |
2SC5415AE-TD-E规格书详情
Features
• High gain : ⏐S21e⏐2=9dB typ (f=1GHz)
• High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ
2SC5415AE-TD-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。安森美半导体公司制造生产的2SC5415AE-TD-E晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
2SC5415AE-TD-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
9dB
- 功率 - 最大值：
800mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
PCP
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
570000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT89 |
9990 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
SOT89 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
ON |
2022+ |
NA |
8600 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
ON/安森美 |
标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
询价 | |||
ON |
22+ |
SOT89 |
25000 |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
询价 | ||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-243 |
36218 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 |
