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2SC5338-T1中文资料PDF规格书

2SC5338-T1
厂商型号

2SC5338-T1

参数属性

2SC5338-T1 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

文件大小

186.52 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-28 21:40:00

2SC5338-T1规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD

FEATURES

• High gain: S21e2 = 10 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz

• Low distortion, low voltage: IM2 = −55 dB TYP., IM3 = −76 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 50 mA, Vin = 105 dBµV/75Ω

• 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4703

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5338-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3.5dB @ 1GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    1.8W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/Renesas Electronics Am
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SOT89
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