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2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SA1962 ·Highcollectorvoltage:VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5242	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5242	文件：253.07 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollectorBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min.) ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoType2SA1962 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5242	文件：176.54 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5242	文件：129.139 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5242	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSED(FORPOWERAMPLIFIERAPLLICATIONS) PowerAmplifierApplications •HighCollectorbreakdownvoltage:VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1962 •Suitablefrousein80-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTypePowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242OTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5242OTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
2SC5242-O(Q,T)
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 230V 15A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2SC5242-O(Q,T)供应商更新时间2024-5-17 15:16:00

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