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2SC510	文件：196.4 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5100	文件：24.98 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose) Complementtotype2SA1908 Application:AudioandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SC5100	文件：194.04 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC5100	文件：188.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5100	文件：165.1 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1908 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5101	文件：25.26 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose) SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Complementtotype2SA1909) Application:AudioandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SC5101	文件：194.3 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC5101	文件：165.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5101	文件：188.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Complementtotype2SA1909 APPLICATIONS ·Audioandgeneralpurpose	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5103	文件：65.79 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor (60V, 5A) Features 1)LowVCE(sat)(Typ.0.15VatIC/IB=3/0.15A) 2)Highspeedswitching(tf:Typ.0.1μsatIC=3A) 3)WideSOA.(safeoperatingarea) 4)Complementsthe2SA1952.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC5103TLQ	文件：114.23 Kbytes Page：4 Pages	High speed switching transistor (60V, 5A) Features 1)LowVCE(sat)(Typ.0.15VatIC/IB=3/0.15A) 2)Highspeedswitching(tf:Typ.0.1μsatIC=3A) 3)WideSOA.(safeoperatingarea) 4)Complementsthe2SA1952.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC5104	文件：62.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forhighbreakdownvoltagehigh-speedswitching ■Features •High-speedswitching •Highcollector-basevoltage(Emitteropen)VCBO •Widesafeoperationarea •SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE •Ntypepackageenablingdi	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SC5106	文件：236.14 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5106	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5107	文件：235.6 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5107	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5108	文件：236.06 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATIONS) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5108	文件：342.33 Kbytes Page：6 Pages	For VCO Application ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5108FT	文件：73.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5108-Y	文件：342.33 Kbytes Page：6 Pages	For VCO Application ForVCOApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SC510
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_低频或音频放大（LF）_开关
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSW68,2N2990,2SC1860,3DG84F,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
140
htest：
60000000
atest：
1.5
wtest：
.8

详细参数

型号：
2SC510
制造商：
Sanken Electric Co Ltd
功能描述：
Box
功能描述：
TRANS NPN 120V 8A TO3PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC510供应商更新时间2024-6-18 10:37:00

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