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2SC3503DSTU	文件：154.69 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighVoltage:VCEO=300V •LowReverseTransferCapacitance:Cre=1.8pFatVCB=30V •ExcellentGainLinearityforlowTHD •HighFrequency:150MHz •FullthermalandelectricalSpicemodelsareavailable •Complementto2SA1381/KSA1381. Applications •Audio,VoltageAmplifie	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503DSTU	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503DSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3503	文件：137.04 Kbytes Page：4 Pages	High-DefinitionCRTDisplay,VideoOutput High-DefinitionCRTDisplay,VideoOutputApplications Features •Highbreakdownvoltage:VCEO≥300V. •Smallreversetransfercapacitanceandexcellenthighfrequencycharacteristic:Cre=1.8pF(NPN),2.3pF(PNP),VCB=30V. •AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3503	文件：154.69 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltage:VCEO=300V •LowReverseTransferCapacitance:Cre=1.8pFatVCB=30V •ExcellentGainLinearityforlowTHD •HighFrequency:150MHz •FullthermalandelectricalSpicemodelsareavailable •Complementto2SA1381/KSA1381. Applications •Audio,VoltageAmplifie	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3503	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503	文件：321.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SC3503CSTU	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503ESTU	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503ESTU	文件：154.69 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltage:VCEO=300V •LowReverseTransferCapacitance:Cre=1.8pFatVCB=30V •ExcellentGainLinearityforlowTHD •HighFrequency:150MHz •FullthermalandelectricalSpicemodelsareavailable •Complementto2SA1381/KSA1381. Applications •Audio,VoltageAmplifie	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503FSTU	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC3503FSTU	文件：154.69 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltage:VCEO=300V •LowReverseTransferCapacitance:Cre=1.8pFatVCB=30V •ExcellentGainLinearityforlowTHD •HighFrequency:150MHz •FullthermalandelectricalSpicemodelsareavailable •Complementto2SA1381/KSA1381. Applications •Audio,VoltageAmplifie	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2SC3503DSTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，10V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126-3
描述：
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3503DSTU供应商更新时间2024-5-21 16:30:00

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