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2SC3356B	文件：1.33099 Mbytes Page：5 Pages	NPN Silicon RF Transistor FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356	文件：102.57 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER(NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR) DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz •High	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC3356	文件：235.34 Kbytes Page：5 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ·HighPowerGain MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ·DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3356	文件：39.22 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3356	文件：485.28 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC3356	文件：1.33099 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransistor FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356	文件：430.56 Kbytes Page：3 Pages	High-FrequencyAmplifierTransistorNPNSilicon FEATURES LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. LowNoiseandHighGain *HighPowerGain	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC3356	文件：251.6 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •PowerDissipation •RoHSCompliantProduct	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC3356	文件：197.13 Kbytes Page：4 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3356	文件：102.82 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC3356	文件：105.49 Kbytes Page：3 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTC2SC3356isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverters,supplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.r	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3356	文件：189.37 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3356	文件：282.79 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 High-FrequencyAmplifierTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
2SC3356	文件：200.75 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3356	文件：166.6 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain.MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS ●DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC3356	文件：1.06194 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain.MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS ●DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC3356	文件：211.94 Kbytes Page：4 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC3356	文件：128.69 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC3356	文件：54.83 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
2SC3356	文件：1.74726 Mbytes Page：9 Pages	NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,	CEL California Eastern Laboratories	CEL

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	2SC3356B	NEC/RENESAS		SOT-23	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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