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2SC3355中文资料PDF规格书

2SC3355
厂商型号

2SC3355

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

文件大小

248.21 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-11 8:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SC3355

  • 别名:

    2SC3355三极管、2SC3355晶体管、2SC3355晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    6.5GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC2671,2SC3512,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-21

  • vtest:

    20

  • htest:

    6500000000

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .6

2SC3355规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES

• Low noise and high gain

NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz

NF = 1.8 dB TYP., Ga= 9.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 40 mA, f = 1 GHz

• High power gain : MAG = 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz

产品属性

  • 型号:

    2SC3355

  • 制造商:

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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